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Starre Leiterplatten

Starre Leiterplatten sind in einer Vielzahl von Ausführungen erhältlich, welche von einfachen einseitigen Leiterplatten bis zu hochintegrierten Multilayern mit versteckten Bohrungen und Sacklöchern reichen. Eine noch höhere Miniaturisierung wird durch die PVA-Technologie, der Kombination von kupfergefüllten Micro-Vias und sequentiellem Aufbau, erreicht (Stacked Vias). Diese Technologie erlaubt auch die Micro-Vias direkt in die Pads zu integrieren (Via in Pad), was zu einer deutlich höheren Packungsdichte und einer besseren Ausbeute bei der Bestückung mit BGA und Flip-Chip führt.

Zusätzliche Funktionalität lässt sich mit seitlichen Durchmetallisierungen oder der Integration von Tiefenfräsungen mit hoher Genauigkeit erreichen.

4-Lagen PCB in PVA-Technologie für ein Implantat

Um bei diesem Implantat eine hohe Zuverlässigkeit und Integrationsdichte zu erreichen, wurde dieses Substrat in PVA-Technologie, der Kombination von kupfergefüllten Microvias und sequentiellem Aufbau, gefertigt. Um die Stabilität während des Bestückens und Prüfens der dünnen Leiterplatte zu erhöhen, verfügt das Substrat zusätzlich über eine Verstärkung aus FR4.

7-Lagen IC-Substrat in PVA-Technologie

Bei diesem IC-Carrier wird höchste Integration des Substrates verlangt. Die PVA-Technologie ermöglicht eine sehr hohe Integrationsdichte. Dank kupfergefüllten Vias in den Pads, kann eine hohe Ausbeute bei der Bestückung mit Flip Chip, erreicht werden.

 

6-Lagen Substrat mit seitlichen Durchmetallisierungen

Diese Leiterplatte wurde mit kupfergefüllten Microvias produziert. Dank der seitlichen Durchmetallisierungen kann die Leiterplatte direkt auf ein anderes Substrat gelötet werden. Grösse der Leiterplatte: 9.5 x 7.6 x 1.1 mm.

8-Lagen Leiterplatte für Militäranwendung

PCB mit Sacklöchern und versteckten Bohrungen mit 50 µm Restring sowie 100 µm Bondpads mit 50 µm Abstand. Masse des Substrates: 48 x 8 x 0.6 mm.

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